Gr1 Gr2 Gr5 TiAl ทิตาเนียมเหล็กผสม

Gr1 Gr2 Gr5 TiAl ทิตาเนียมสกัด ทิตาเนียม Sputtering เป้าหมายสําหรับ PVD การเคลือบ

ครับ1วัสดุเป้าหมาย

วัสดุเป้าหมายคือวัสดุเป้าหมายที่ถูกระเบิดโดยอนุภาคที่มีการชาร์จด้วยความเร็วสูง มีโลหะ, สารสกัด, โอกไซด์, ฯลฯสแตนเลส, ทิตาเนียม, เป้าหมายนิกเคิล, ฯลฯ), คุณสามารถได้รับระบบฟิล์มที่แตกต่างกัน (เช่นฟิล์มผสมที่แข็งแรงมาก, ทนต่อการสกัดสกัดสกัดสกัดสกัดสกัดสกัด, ฯลฯ)

(1) เป้าหมายโลหะ: เป้าหมายนิกเกิล, Ni, เป้าหมายไทเทเนียม, Ti, เป้าหมายซิงค์, Zn, เป้าหมายโครเมียม, Cr, เป้าหมายมะกนีเซียม, Mg, เป้าหมายไนโอเบียม, Nb, เป้าหมายหมึก, Sn, เป้าหมายอลูมิเนียม, Al, เป้าหมายอินเดียม,เป้าหมายเหล็ก, Fe, อะลูมิเนียมไซรคอนิโอมิเนียมเป้าหมาย, ZrAl, อะลูมิเนียมไซรคอนิโอมิเนียมเป้าหมาย, TiAl, อะลูมิเนียมไซรคอนิโอมิเนียมเป้าหมาย, Zr, อะลูมิเนียมไซรคอนิโอมิเนียมเป้าหมาย, AlSi, อะลูมิเนียมไซรคอนิโอมิเนียมเป้าหมาย, Si, ทองแดงไซรคอนิโอมิเนียมเป้าหมาย Cu, ทันตาลัมไซรคอนิโอมิเนียมเป้าหมาย T, a,เป้าหมายเจอร์แมนเนียม, Ge, เป้าหมายเงิน, Ag, เป้าหมายโคบาลต์, Co, เป้าหมายทองคํา, Au, เป้าหมายกาดอลินิียม, Gd, เป้าหมายลานธานูม, La, เป้าหมายยทตริอุม, Y, เป้าหมายเซเรียม, Ce, เป้าหมายวอลฟ์สเทน, w, เป้าหมายสแตนเลสเป้าหมาย นิเคิล-โครเมียม, NiCr, Hafnium Target, Hf, โมลิบเดนม์ Target, Mo, เหล็ก-นิกเกิล Target, FeNi, วอล์ฟกรานด์ Target, W เป็นต้น

(2) เป้าหมายเซรามิก: เป้าหมาย ITO, เป้าหมายมะกนีเซียมออกไซด์, เป้าหมายเหล็กออกไซด์, เป้าหมายซิลิคอนไนไตรได, เป้าหมายซิลิคอนคาร์ไบด์, เป้าหมายไนไนไตรไทเทเนียม, เป้าหมายโครเมียมออกไซด์, เป้าหมายซิงค์ออกไซด์เป้าหมายซินก์ซัลฟิด, เป้าหมายซิลิคอนไดออกไซด์ เป้าหมายซิลิคอนไดออกไซด์ เป้าหมายเซเรียมไดออกไซด์ เป้าหมายซิรคอนไดออกไซด์ เป้าหมายไนโอเบียมเพนโตออกไซด์ เป้าหมายไทเทเนียมไดออกไซด์ เป้าหมายซิรคอนไดออกไซด์ เป้าหมายฮาฟเนียมไดออกไซด์เป้าหมายของไทเทเนียมดีโบไรด์, เป้าหมายซิกอร์คอนิอุมไดโบไรด์ เป้าหมายทรูออกไซด์ตองเฟรเมน เป้าหมายอะลูมิเนียมออกไซด์, ทันทัลโอออกไซด์, นิโอบีਅਮเพนโตออกไซด์ เป้าหมายแม็กนีเซียมฟลอไรด์ เป้าหมายยทรีียมฟลอไรด์ เป้าหมายซินคเซเลนไดเป้าหมายของอะลูมิเนียมไนไตรด์เป้าหมายซิลิคอนไนไตรได เป้าหมายโบรอนไนไนไตรไนไทเทเนียม เป้าหมายซิลิคอนคาร์ไบด์ เป้าหมายลิทธิียมไนโอเบท เป้าหมายปรเซโอดีมียมไทเทเนต เป้าหมายเบารีียมไทเทเนตเป้าหมายลานธาเนียมไทแนน, เป้าหมายออกไซด์ไนเคิล เป้าหมายกระจายยา เป็นต้น

2ความต้องการการทํางานหลักของเป้าหมาย

(1) ความบริสุทธิ์

ความบริสุทธิ์เป็นหนึ่งในตัวชี้วัดการทํางานหลักของเป้าหมาย เพราะความบริสุทธิ์ของเป้าหมายมีอิทธิพลมากต่อการทํางานของหนังความต้องการความบริสุทธิ์ของวัสดุเป้าหมายยังแตกต่างกันตัวอย่างเช่น ด้วยการพัฒนาอย่างรวดเร็วของอุตสาหกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์ ขนาดของแผ่นซิลิคอนได้เติบโตจาก 6 ", 8" เป็น 12 "และความกว้างของสายไฟได้ลดลงจาก 0.5um เป็น 0.25um18um หรือแม้แต่ 0.13um, ความบริสุทธิ์เป้าหมายเดิมของ 99.995% สามารถตอบสนองความต้องการทางเทคนิคของ 0.35umIC, และการเตรียมเส้น 0.18um ต้องการ 99.999% หรือแม้ 99.9999% สําหรับความบริสุทธิ์ของเป้าหมาย.

(2) เนื้อหาของสารสกัด

ภาวะไม่สะอาดในวัสดุแข็งเป้าหมาย และออกซิเจนและปั๊มน้ําในขุมขน คือแหล่งปนเปื้อนหลักสําหรับฟิล์มที่ฝากเป้าหมายที่แตกต่างกันมีความต้องการที่แตกต่างกันสําหรับสารสกปรกที่แตกต่างกันตัวอย่างเช่น เป้าหมายอลูมิเนียมบริสุทธิ์และสหรัฐอลูมิเนียมที่ใช้ในอุตสาหกรรมครึ่งประสาท มีความต้องการพิเศษสําหรับสารสกัดโลหะแอลคาลีและสารสกัดธาตุรังสี

(3) ความหนาแน่น

เพื่อลดขุมขนในสารแข็งของเป้าหมายและปรับปรุงผลงานของฟิล์มที่กระจายกระจาย ปกติต้องการเป้าหมายให้มีความหนาแน่นสูงกว่าความหนาแน่นของเป้าหมายไม่เพียงแต่มีผลต่ออัตราการกระจาย, แต่ยังมีผลกระทบต่อคุณสมบัติไฟฟ้าและแสงของฟิล์ม. ความหนาแน่นของเป้าหมายที่สูงขึ้น, ผลงานของฟิล์มที่ดีกว่า. นอกจากนี้,การเพิ่มความหนาแน่นและความแข็งแรงของเป้าหมาย ทําให้เป้าหมายทนความเครียดทางความร้อนได้ดีขึ้นระหว่างการพ่นความหนาแน่นยังเป็นหนึ่งในตัวชี้วัดการทํางานหลักของเป้าหมาย

(4) ขนาดของเมล็ดและการกระจายขนาดของเมล็ด

วัสดุเป้าหมายมักเป็นโพลิกริสตัลลีน และขนาดเมล็ดสามารถอยู่ในลําดับของไมครอนเป็นมิลลิเมตร สําหรับวัสดุเป้าหมายเดียวกันอัตราการกระจายของเป้าหมายที่มีเมล็ดละเอียดเร็วกว่าเป้าหมายที่มีเมล็ดหยาบ; ความหนาของฟิล์มที่ฝากโดยการพ่นเป้าหมายที่มีความแตกต่างเล็ก ๆ ในขนาดเมล็ด (การกระจายแบบเรียบร้อย) เป็นเรียบร้อยมากขึ้น

3สาร

(1)ทิตาเนียมบริสุทธิ์: GR1 GR2

(2) สับสนธิไทเทเนียม: ไทเทเนียม Gr5, ไทเทเนียมอลูมิเนียม TiAl, ไทเทเนียมไนเคิล TiNi, ไทเทเนียมโครเมียม TiCr, ไทเทเนียมซิกโครเนียม TiZr, ทองแดงไทเทเนียม TiCu เป็นต้น

(3)วัสดุอื่น ๆ: เป้าหมายการกระจายซิรคอนิโม, เป้าหมายการกระจายโครม, เป้าหมายการกระจายทองแดง, เป้าหมายการกระจายทองแดง เป็นต้น

4วัตถุประสงค์

มันถูกใช้อย่างแพร่หลายในการเคลือบตกแต่ง, การเคลือบกันการสวมใส่, CD และ VCD ในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์, รวมถึงการเคลือบแผ่นแม่เหล็กต่าง ๆ.

ฟิล์มตองเฟสตอง-ไทเทเนียม (W-Ti) และฟิล์มสับสนธิที่ใช้ตองเฟสตอง-ไทเทเนียม (W-Ti) เป็นฟิล์มสับสนธิที่ใช้อุณหภูมิสูงที่มีคุณสมบัติดีเยี่ยมหลายอย่างวอล์ฟสแตนมีคุณสมบัติ เช่น จุดละลายสูง, ความแข็งแกร่งสูงและสัมพันธ์การขยายความร้อนต่ํา สายเหล็ก W / Ti มีสัมพันธ์ความต้านทานต่ํา, ความมั่นคงทางอุณหภูมิที่ดีและความต้านทานต่อการออกซิเดน.เช่นอุปกรณ์ต่าง ๆ ต้องการสายไฟโลหะที่เล่นบทบาทการนํา, เช่น Al, Cu, และ Ag ได้ถูกใช้และวิจัยอย่างกว้างขวาง. อย่างไรก็ตามโลหะสายไฟเองถูกออกซิเดนง่าย, ตอบสนองกับสภาพแวดล้อมรอบตัว,และมีการติดต่อที่ไม่ดีต่อชั้นดีเอเล็คทริกง่ายที่จะกระจายในวัสดุพื้นฐานของอุปกรณ์ เช่น Si และ SiO2 และมันจะสร้างโลหะและ Si ในอุณหภูมิต่ํากว่าทําให้การทํางานของอุปกรณ์ลดลงมากสารสกัด W-Ti ใช้ได้ง่ายเป็นอุปกรณ์ป้องกันการกระจายสายไฟ เนื่องจากคุณสมบัติเทอร์โมเมกานิคที่มั่นคง ความเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนที่ต่ํา ความทนทานต่อการกัดสนิมที่สูง และความมั่นคงทางเคมีเหมาะสําหรับการใช้ในสภาพแวดล้อมที่มีกระแสไฟฟ้าสูงและอุณหภูมิสูง.

ภาพรายละเอียด

โรงงาน

กล่องและการจัดส่ง:

วัสดุที่เป้าหมายด้วยผ้ามุก และใส่มันในกล่องไม้ วิธีการบรรจุที่เหมาะสมของเราสามารถป้องกันวัสดุที่เป้าหมายจากการชนกันระหว่างการขนส่งและยังสามารถป้องกันผลกระทบของสินค้าภายนอกบนสินค้า, และให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์ได้รับการจัดส่งหลังจากการจัดส่ง Integrity

---1.แพ็คเกจที่ปิดแล้วใส่ในกล่องกระดาษกล่อง หรือกล่องพลายเด้งมาตรฐาน

---2.ใช้กล่องคอนโดมิเนชั่นเฉพาะที่มีโลโก้ของลูกค้า แพ็คเกจแต่ละชิ้น เพื่อช่วยให้ผู้ซื้อขายตรง

--- ตอบรับความต้องการของลูกค้า

พิสูจน์ให้เห็นว่าทุกกระเป๋าสตางค์ถูกสร้างขึ้นเพื่อคุณให้แน่ใจว่าเมื่อคุณได้รับสินค้าไม่เสียหาย